模拟电路设计系列讲座十一：三极管低频等效模型|新京葡萄京

一：三极管基本模型1．三极管基本符号和参数定义2．三极管工作区域1）累计区（Cutoff）Ib＝Ic＝0，Vbe＜＜0．7V。三极管正处于几乎变频器状态。2）相反偏置或者线性工作区（Forward－Active）IC＝βeIb，且Vbe＝0．7V左右。

3）饱和状态区（Saturation）Vce变大，且此时Vbe与Vbc都是相反偏置。3．三极管工作于线性区的理论模型假设三极管工作于图（a）的偏置状态，经过建模我们可以获得如下波形：从波形中可以显现出，三极管的输入波形还包括DC部分和交流小信号部分。某种程度我们可以得出结论其他端子也是如此，因此我们获得：荐个例子，一个三极管基极特了一个相反偏置电压Vbias以及1kHz的交流信号Vsig，峰值为1mV。

调节基极驱动信号（0．7V左右）使三极管集电极电流为5mA。此时三极管的工作区域以及输入电流波形如下：二：三极管低频线性区等效电路模型由上述理论我们可以得出结论：更进一步推论，我们可以得出结论交流小信号输入电流为：gm就是三极管的等效跨导。接下来我们推论基极驱动电流Ib，由三极管基本模型我们告诉，集电极电流的任何微小变化某种程度意味著基极驱动电流的比例变化：这里hfe就是三极管小信号电流增益，这里要留意，小信号电流增益和DC直流增益是有所不同的定义。

因此我们可以总结出有三极管低频下的等效电路模型：这也就是所谓的“hybrid－pi”模型，其中：下一节将之后讲解三极管的高频等效模型。

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